[发明专利]高压LDMOS在审
| 申请号： | 202310211077.2 | 申请日： | 2023-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN116799033A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 潘山山;蔡莹;金锋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高压LDMOS,包括：在俯视面上，高压LDMOS的部分区域中具有一个以上的U型结构，在U型结构的U型端头处，漂移区呈U型，漂移区内侧位于靠近源区一侧，外侧为靠近漏区的一侧，漏极的高压在所述U型端头处向内包覆所述源极。在U型端头处设置有电场分散结构，包括一根以上的形成于漂移区底部的第二导电类型的掺杂条，掺杂条接地，掺杂条从源极向漏极一侧延伸，漏极高压产生电场会分散到掺杂条中，使电场线从二维集中转变为三维分散，从而避免使漏极的高压产生的电场集中到源极并从而实现电场分散。本发明能具有U型结构的俯视面结构以增加器件的电流，同时能避免U型结构所带来的电场集中的缺陷，提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 ldmos | ||
【主权项】：
暂无信息
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