[发明专利]一种具有声子散射调控层的半导体激光元件在审

专利信息
申请号: 202310213881.4 申请日: 2023-03-02
公开(公告)号: CN116191200A 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;张江勇;蔡鑫;马斯特;徐浩翔;陆恩;周进泽;牧立一;白怀铭;韩霖 申请(专利权)人: 安徽格恩半导体有限公司
主分类号: H01S5/20 分类号: H01S5/20;H01S5/34
代理公司: 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 代理人: 魏玉娇
地址: 237014 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及半导体光电器件的技术领域,具体涉及一种具有声子散射调控层的半导体激光元件,结构上设置的声子散射调控层为Bi2Te3:Ag、Mg2Sn‑Mg3Sb2:Ag、Bi2SeS2:Ag、CuBiSe2:Ag、PbNb2O6:Ag、Sn2P2S6:Ag中的一种或两种以上的组合形成的异质结、超晶格、量子阱、核壳、量子点中一种或两种以上结构;声子散射调控层通过降低激光元件的声子散射,增强晶格热导率,改善激光元件的热电性能,提升激光元件的散热性能,降低热失配导致的量子限制Stark效应,降低空穴注入势垒和提升空穴注入效率,提升有源层的电子空穴波函数的交叠几率,加强激光元件在大功率和大电流条件下的寿命和可靠性,降低激光元件的激发阈值,增强限制因子,提升激光元件的激射功率和斜率效率。
搜索关键词: 一种 有声 散射 调控 半导体 激光 元件
【主权项】:
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