[发明专利]一种具有声子散射调控层的半导体激光元件在审
申请号: | 202310213881.4 | 申请日: | 2023-03-02 |
公开(公告)号: | CN116191200A | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;张江勇;蔡鑫;马斯特;徐浩翔;陆恩;周进泽;牧立一;白怀铭;韩霖 | 申请(专利权)人: | 安徽格恩半导体有限公司 |
主分类号: | H01S5/20 | 分类号: | H01S5/20;H01S5/34 |
代理公司: | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人: | 魏玉娇 |
地址: | 237014 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: |
本发明涉及半导体光电器件的技术领域,具体涉及一种具有声子散射调控层的半导体激光元件,结构上设置的声子散射调控层为Bi |
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搜索关键词: | 一种 有声 散射 调控 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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