[发明专利]复合渐变层氮化镓功率晶体管在审

专利信息
申请号: 202310218004.6 申请日: 2023-03-08
公开(公告)号: CN116207097A 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 毛维;谢渊源;杨翠;张涛;杜鸣;魏葳;张进成;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L27/07 分类号: H01L27/07;H01L27/02;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/77
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华
地址: 710071 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种复合渐变层氮化镓功率晶体管及其制作方法,主要解决现有的功率开关器件双向导通特性差,导致其所用系统的成本高,功率效率低的问题。其自下而上包括:漏极、衬底层、漂移层、沟道层、N+型层和源极,该沟道层的两侧的漂移层内设有第一渐变层,其间距小于沟道层宽度,且其上部设有栅极,漂移层上部中央设有调制岛极,调制岛极下方的漂移层内设有等间隔的n块第二渐变层,该第一渐变层由第一渐变P型层和第一渐变N型层组成,第二渐变层由第二渐变P型层和第二渐变N型层组成。本发明降低了反向导通开启压降、增大了导通电流,其阻断时泄漏电小耐压高,具有良好的双向导通特性,可作为功率开关器件。
搜索关键词: 复合 渐变 氮化 功率 晶体管
【主权项】:
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