[发明专利]单晶硅制备装置及其控制方法有效
| 申请号： | 202310218030.9 | 申请日： | 2023-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN115874269B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 曹建伟;朱亮;叶钢飞;高宇;王小飞;李玉刚 | 申请（专利权）人： | 浙江求是半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329 | 代理人： | 赵杰香 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供一种单晶硅制备装置，包括：晶体生长炉；坩埚；加热机构；升降机构；晶体生长炉的底部设置有第一炉底板，第一炉底板上方的至少部分区域铺设有防漏保护机构，当坩埚发生漏硅时，防漏保护机构承接并冷却漏硅熔体，使漏硅熔体在防漏保护机构表面结成防护层，以防止漏硅熔体熔穿第一炉底板。本申请在炉底板间设计有防漏保护机构，可以在坩埚发生漏硅时由防漏保护机构承接漏硅熔体并冷却漏硅熔体结成防护层，防止漏硅熔体将炉底板熔穿，确保单晶硅制备过程的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制备 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
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