[发明专利]带机械保护的永磁体的磁场传感器在审
| 申请号： | 202310221021.5 | 申请日： | 2023-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN116736195A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | R·沙勒;J·丹格尔迈尔;K·伊利安 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/00 | 分类号： | G01R33/00;G01R33/02;G01R33/07;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李兴斌;闫昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及带机械保护的永磁体的磁场传感器。提出一种磁场传感器(0600)，带有：半导体芯片(0111)的，其中半导体芯片(0111)具有至少一个磁场传感器元件(0112)，其中半导体芯片(0111)嵌入半导体芯片封装部中；永磁体，其中永磁体嵌入磁体封装部中，其中在半导体芯片封装部与磁体封装部之间的边界层延伸直至磁场传感器的裸露表面。还公开了用于制造磁场传感器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 机械 保护 永磁体 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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