[发明专利]高边自举升压双N-MOS管充电控制方法、电路及充电器在审
| 申请号： | 202310223879.5 | 申请日： | 2023-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN116191618A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 曹雄华;刘巍;谢庆生;周明亮;李统成;肖铿 | 申请（专利权）人： | 惠州市可立克科技有限公司;惠州市可立克电子有限公司;深圳可立克科技股份有限公司;信丰可立克科技有限公司;安远县美景电子有限公司;安徽可立克科技有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;H01M10/44 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀锋 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市仲恺高新区东江高*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高边自举升压双N‑MOS管充电控制方法、电路及充电器，所述高边自举升压双N‑MOS管充电控制电路，包括主电源充电输出端口、高边自举升压电路、高边双N‑MOS管电路和MCU_PWM驱动电路，利用所述高边双N‑MOS管电路进行充电，当所述MCU_PWM驱动电路的输出为非PWM信号时，所述高边双N‑MOS管电路自动关闭。本发明的技术方案，可在带MCU的智能充电设备中，使用MCU的PWM驱动配合常规高边N‑MOS管做为充电控制开关取代传统的PMOS控制电路，实现电源与电池组的高边隔离充电控制，可使得电路选型设计便利，安全可靠性高，可显著降低设计成本。此外，当MCU遭到破坏时，还具备及时隔离充电器和电池、防止电流倒灌从而可靠地实现电路异常保护的额外优势。 | ||
| 搜索关键词： | 升压 mos 充电 控制 方法 电路 充电器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠州市可立克科技有限公司;惠州市可立克电子有限公司;深圳可立克科技股份有限公司;信丰可立克科技有限公司;安远县美景电子有限公司;安徽可立克科技有限公司，未经惠州市可立克科技有限公司;惠州市可立克电子有限公司;深圳可立克科技股份有限公司;信丰可立克科技有限公司;安远县美景电子有限公司;安徽可立克科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310223879.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
