[发明专利]提高efuse芯片良率的方法、装置和设备及存储介质有效
| 申请号： | 202310224000.9 | 申请日： | 2023-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN115954037B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 马俊程;袁奥;熊海峰 | 申请（专利权）人： | 上海泰矽微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C17/18;G11C17/16 |
| 代理公司： | 上海双诚知识产权代理事务所(普通合伙) 31423 | 代理人： | 方玉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种提高efuse芯片良率的方法、装置和设备及存储介质，确定所述efuse芯片的烧写完毕的编程区每个bit位的状态信息；如果第一bit位的状态信息表征所述第一bit位烧写失败，则通过所述冗余区对所述第一bit位进行寻址；所述译码器根据所述冗余区的编码控制所述第一bit位的二输入MUX选通高电平输入，修复所述第一bit位的状态信息。通过冗余位进行寻址，控制烧写失败的bit位的二输入MUX选通高电平输入，进而将烧写失败的bit位状态信息修改为1，实现对efuse芯片bit位的修复，从而提高了芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 efuse 芯片 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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