[发明专利]一种污秽绝缘子电位测量方法及装置有效

专利信息
申请号: 202310224266.3 申请日: 2023-03-10
公开(公告)号: CN116068287B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 张娜;李国栋;王大伟;杨罡;吴翔宇;俞华;胡帆;原辉 申请(专利权)人: 国网山西省电力公司电力科学研究院;北京科东电力控制系统有限责任公司
主分类号: G01R29/12 分类号: G01R29/12;G06T17/20;G06V10/764;G06N20/10;G01R29/14
代理公司: 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 代理人: 孟肖阳;冷锦超
地址: 030000*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明提供了一种污秽绝缘子电位测量方法及装置,属于绝缘子电位测量技术领域;解决了现有绝缘子电位测量采用试验和仿真计算中存在的不直观及无法反映实际变化情况的问题;包括如下步骤:获取绝缘子外表面的污秽分布情况;将污秽分布映射到绝缘子三维模型上,对污秽分布网格化,取极大值对网格内污秽进行近似,将连续的污秽分布近似为离散的污秽极大值点,对污秽极大值点进行分类;对提取出的各污秽极大值分类点进行区域分区并进行分解,分解为多个规则化区域;通过编程得到不同规则化区域的污秽分布的绝缘子电场分布情况,然后进行叠加,对电场分布进行归一化,得到近似污秽分布下的绝缘子各处电场分布情况;本发明应用于污秽绝缘子电位测量。
搜索关键词: 一种 污秽 绝缘子 电位 测量方法 装置
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