[发明专利]大截面脊波导基横模大功率半导体激光器在审
| 申请号： | 202310224441.9 | 申请日： | 2023-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN116031753A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 刘尚军;张靖;李志伟;骆小顺;刘刚明;冯琛;孟钰淋;朱长林 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/343;H01S5/24;H01S5/20 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 唐龙波 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大截面脊波导基横模大功率半导体激光器，包括衬底以及依次设置在所述衬底上的缓冲层、N限制层、N波导层、量子阱有源层、P波导层、P限制层和P接触层；所述P接触层通过刻蚀形成有贯穿P接触层和P限制层并伸入P波导层的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽平行设置，在所述第一沟槽和第二沟槽之间的未刻蚀部分形成脊波导。本发明中，N波导层的厚度大于P波导层，使得光场被拉向N掺杂区域，从而减小光损耗，可以在增大脊波导宽度的情况下使脊部结构有效折射率与两侧有效折射率差仍小于0.5％，在实现基横模输出保持良好的光束质量的同时，增大了光斑尺寸、有效降低了COMD的影响，提高了输出光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 截面 波导 基横模 大功率 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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