[发明专利]测试结构及测试方法在审
| 申请号： | 202310225139.5 | 申请日： | 2023-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN116454067A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 代佳;张欣慰;王乾;李静怡;于江勇;张小麟 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种测试结构及测试方法，以解决现有技术中测试效率较低，结构设置冗余的问题。该测试结构，包括：衬底；至少两个测试金属层，每个测试金属层上均设置有子测试结构，子测试结构包括第一子测试结构和第二子测试结构；第一测试电极，与每个测试金属层中的第一子测试结构分别相连；第二测试电极，与每个测试金属层中的第二子测试结构相连；其中，第一测试电极与每个测试金属层的第一子测试结构之间还设置有MOS管，不同测试金属层的第一子测试结构与第一测试电极之间的MOS管的开启电压不同。该测试结构可同时对多个测试金属层进行检测，可判断是否具有短路缺陷以及短路缺陷的位置，极大地节省了测试结构的数目，提高了测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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