[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310228741.4 | 申请日： | 2023-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN116247097A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈东坡;严丹妮;徐涵;张辉;刘成;叶念慈 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/417;H01L29/45 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 强珍妮 |
| 地址： | 410217 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本公开提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。高电子迁移率晶体管包括第一半导体结构、第二半导体结构和导电石墨烯层。第一半导体结构位于栅极金属靠近衬底的一侧并与栅极金属连接。第二半导体结构位于漏极金属与第二半导体层之间并与漏极金属连接。导电石墨烯层设置于栅极金属与第一半导体结构之间且与栅极金属相对设置，和/或设置于第二半导体结构和第二半导体层之间且与第二半导体结构相对设置。通过设置导电石墨烯层，可抑制第一半导体结构的活性镁离子扩散至栅极金属，从而降低栅极金属的漏电，提升栅极金属的稳定性；或者抑制第二半导体结构的活性镁离子扩散至第二半导体层，从而提高漏极金属的正向导通和反向截断特性。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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