[发明专利]一种电池片的返工处理方法

摘要

本申请实施例提供一种电池片的返工处理方法，涉及太阳电池制备领域。电池片的的表面沉积有含有硅元素的层结构，其返工处理方法包括以下步骤：将电池片放置于真空的腔体中，然后向腔体中通入等离子态的腐蚀气体，以对电池片暴露的一面进行腐蚀；其中腐蚀气体包括CF4、NF3、CHF3、HBr3O2中的至少一种。本申请实施例的处理方法能较为精确地控制腐蚀速率和反应位置，可以在尽量不损伤诸如绒面之类的其它层结构的情况下，对电池片需要腐蚀的层结构进行腐蚀，这样能降低电池片的碎片率，提高电池片的回收效率。