[发明专利]铌酸锂-氮化硅波导与激光器异质集成结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202310234143.8 | 申请日： | 2023-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN115951454B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 王广庆;张磊;常林;隋军 | 申请（专利权）人： | 中科鑫通微电子技术（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/30 | 分类号： | G02B6/30;G02B6/136;G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 彭伶俐 |
| 地址： | 100016 北京市朝阳区酒仙*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成光电子学技术领域，尤其涉及一种铌酸锂‑氮化硅波导与激光器异质集成结构及其制备方法，制备方法包括在刻蚀后的条形铌酸锂波导上第一次键合氮化硅，形成铌酸锂‑氮化硅混合波导；铌酸锂‑氮化硅混合波导中铌酸锂波导层的厚度为100nm‑600nm，氮化硅层的厚度为200nm‑800nm；铌酸锂波导层的宽度为200nm‑1000nm，使分布在铌酸锂波导层中的光场能量低于分布在铌酸锂‑氮化硅混合波导中总光场能量的5%；在铌酸锂‑氮化硅混合波导的氮化硅层上第二次键合III‑V族激光器，形成铌酸锂‑氮化硅波导与激光器异质集成结构。本发明能克服铌酸锂波导平台无法实现激光器的集成和传输损耗大的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸锂 氮化 波导 激光器 集成 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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