[发明专利]高介电常数镉磷硫晶体的制备方法、应用及电子器件在审
| 申请号： | 202310234865.3 | 申请日： | 2023-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN116463719A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 钟绵增;袁乐;徐子杰;李嘉晨;束传存;夏庆林;何军 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B28/14;C30B29/46;C30B23/00;C30B28/12;H01G4/08 |
| 代理公司： | 长沙知行亦创知识产权代理事务所(普通合伙) 43240 | 代理人： | 李杰 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高介电常数镉磷硫晶体的制备方法、应用及电子器件。该制备方法包括以下步骤：根据镉磷硫晶体对应化学结构式中各组成元素的摩尔比提供镉单质、磷单质和硫单质；镉磷硫晶体的化学结构式为CdPS |
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| 搜索关键词： | 介电常数 镉磷硫 晶体 制备 方法 应用 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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