[发明专利]缺陷检测方法及其装置、电子设备及存储介质有效
| 申请号： | 202310238738.0 | 申请日： | 2023-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN115954040B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 李振;王伟洲 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 任晓;王黎延 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体技术领域，由于半导体结构良品率的检测过程复杂，且检测效率低，因此，本公开提供一种缺陷检测方法及其装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括：向待检测的存储阵列中写入目标数据；在预设条件下，对写入目标数据的存储阵列进行测试处理，以确定出存储阵列中具有缺陷的存储单元；预设条件至少包括：控制存储阵列中的字线电压大于第一电压或者小于第二电压；第一电压为与字线连接的晶体管的开启电压，第二电压为晶体管的关闭电压。这样，通过控制字线电压大于晶体管的开启电压或者小于关闭电压，能够增加电容与晶体管栅极之间的电压差，加速漏电，进而可以快速检测出具有缺陷的存储单元，检测方法简单，且效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 方法 及其 装置 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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