[发明专利]6T SRAM单元晶体管阈值电压片上测量电路、测量方法、芯片在审
| 申请号： | 202310241366.7 | 申请日： | 2023-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN116343895A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 张培勇;刘蕊 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50;G11C29/56;G11C11/413 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种6T SRAM单元晶体管阈值电压片上测量电路、测量方法、芯片。包括：6T SRAM阵列单元、模拟开关和阈值电压确定电路。所述阈值电压确定电路通过两个模拟开关分别连接到6T SRAM阵列单元的两条位线；所述阈值电压确定电路包括与待测单元位线所接模拟开关另一侧相连的用于复制待测晶体管充放电电流的位线电流复制电路、用于产生与待测晶体管宽长比正相关的可调节电流的恒定电流产生电路、分别与位线电流复制电路和恒定电流产生电路通过电流镜相连的电流比较电路以及正负端分别接到片外电压源和电流比较电路电压输出端的动态电压比较器。 | ||
| 搜索关键词： | sram 单元 晶体管 阈值 压片 测量 电路 测量方法 芯片 | ||
【主权项】：
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