[发明专利]高密度铁电存储器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202310242051.4 | 申请日： | 2023-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN116193867A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 黄芊芊;符芷源;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院;北京大学 |
| 主分类号： | H10B53/30 | 分类号： | H10B53/30;H10B53/10;H10N97/00;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度铁电存储器及其制备方法和应用，属于半导体存储器领域。该存储器由多个存储单元排成阵列，且存储单元阵列两侧由实质上正交的字线和位线相连，本发明的存储单元采用顶电极、阻变介质层、中间金属层、铁电介质层和底电极叠加结构，在电学上等同于一个铁电电容与一个阻变选择器串联；通过调控存储单元RC延迟来降低未选中单元中铁电电容的分压，使其扰动降低；并且铁电电容容值稳定，可以有效通过RC调控降低扰动电压的影响。综上所述，本发明在没有增加额外面积开销的情况下，提升了存储器的存储窗口，降低了误码率。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 存储器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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