[发明专利]一种直调多段分布反馈半导体激光器在审
| 申请号： | 202310245945.9 | 申请日： | 2023-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN116169559A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 孙军强;徐炜;洪伟 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/0625 |
| 代理公司： | 武汉红观专利代理事务所(普通合伙) 42247 | 代理人： | 陈凯 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直调多段分布反馈半导体激光器，该半导体激光器包括高反膜、有源相移区、分布反馈激射区、有源光栅反射区和抗反膜，且有源相移区、分布反馈激射区和有源光栅反射区具有相同的外延结构与波导结构参数。采用上述技术方案，在高反膜和分布反馈激射区之间设置有源相移区，分布反馈激射区和有源光栅反射区具有相同的外延结构与波导结构参数，可以缓冲由于高反膜端面相位不确定性导致的载流子波动，使得激光器具有更加一致的输出，避免解离时产生光栅残余相位，以此提高激光器良品率；使用相同外延结构与波导参数，靠注入不同电流来制造光栅中心波长失谐，避免了复杂的外延工艺、减小了制作难度，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直调多段 分布 反馈 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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