[发明专利]一种基于GaN器件的低电阻欧姆接触器件与制备在审
| 申请号： | 202310254994.9 | 申请日： | 2023-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN116387353A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李国强;李善杰;王文樑 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/40;H01L29/66;H01L29/872;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 蔡克永 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GaN器件的低电阻欧姆接触器件与制备；主要通过离子注入与2DEG连接并激活从而降低欧姆接触电阻，引入离子注入控制层，精确控制离子注入的区域，引入SiN/AlN保护层保护外延结构在高温下的稳定性；其组成包括依次层叠设置的GaN外延结构、离子注入控制层、AlN层、SiN层及欧姆接触合金；所述GaN外延结构需包含AlGaN/GaN异质结构，离子注入区域为欧姆接触下方区域；离子注入控制层在离子注入后去除。本发明制备的基于GaN器件的低电阻欧姆接触具有接触电阻率低、工艺简单、材料损伤小、欧姆接触形貌佳等优势，可有效提升GaN二极管、GaN HEMT器件、GaN MOSFET等器件的性能，适合进行大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gan 器件 电阻 欧姆 接触 制备 | ||
【主权项】：
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