[发明专利]一种基于自旋轨道转矩的磁性随机存储器及制备方法在审

专利信息
申请号: 202310255935.3 申请日: 2023-03-16
公开(公告)号: CN116390631A 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 梁梦凡;骆泳铭;庄燕山;陈建辉;冯重舒 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H10N50/10 分类号: H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01;H10B61/00
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 杨舟涛
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于自旋轨道转矩的磁性随机存储器及制备方法,目前采用的无磁场翻转方法,包括添加额外的面内磁性层,通过高温控制CoPt的晶向,以及通过设计楔形膜层结构等方法,都不能实现CoPt磁矩的完全翻转,翻转比率一般低于70%。本发明的磁性随机存储器选择斜切衬底且具有多层膜结构,多层膜结构从上到下依次为:导电层、保护层、薄膜层;所述薄膜层采用Hall Bar器件。相比于传统的随机存储器件,本发明能够实现在无外加辅助磁场条件下基于自旋轨道转矩电流驱动的磁矩完全翻转;且体积小能耗低,存储密度高,并具有非易失性。
搜索关键词: 一种 基于 自旋 轨道 转矩 磁性 随机 存储器 制备 方法
【主权项】:
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