[发明专利]一种基于THM生长碲锌镉晶体的籽晶溶接方法及装置在审

专利信息
申请号: 202310259350.9 申请日: 2023-03-16
公开(公告)号: CN116334759A 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 张继军;卢伟;徐哲人;曹祥智;刘昊;祁永武 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C30B29/48 分类号: C30B29/48;C30B11/14;C30B11/00
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 杨元焱
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种基于THM生长碲锌镉晶体的籽晶溶接方法及装置,装置包括生长坩埚、用于放置所述生长坩埚的绝热托架、置于所述生长坩埚底部的SiC导热棒以及用于监测碲锌镉单晶籽晶温度的热电偶,籽晶溶接方法包括如下步骤:S1、预处理碲锌镉单晶籽晶和第一碲锌镉多晶(“假籽晶”),由下向上依次放置第一碲锌镉多晶、碲锌镉单晶籽晶、富碲溶剂区材料以及第三碲锌镉多晶,并抽真空、升温加热、保温;S2、向下移动加热器加热溶解碲锌镉单晶籽晶的部分组分;S3、向上移动加热器,使得碲锌镉晶体开始连续生长。与现有技术相比,本发明降低了对于碲锌镉单晶籽晶的尺寸要求,在溶接生长时增强了结晶潜热的释放,提高了碲锌镉晶体质量。
搜索关键词: 一种 基于 thm 生长 碲锌镉 晶体 籽晶 方法 装置
【主权项】:
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