[发明专利]光刻极限应力的确定方法及改善光刻工艺质量的方法有效
| 申请号： | 202310265959.7 | 申请日： | 2023-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN115981114B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杨尚勇;邱杰振;颜天才 | 申请（专利权）人： | 青岛物元技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G01L5/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 青岛清泰联信知识产权代理有限公司 37256 | 代理人： | 栾瑜 |
| 地址： | 266111 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻极限应力的确定方法及改善光刻工艺质量的方法，属于半导体制造技术领域。光刻极限应力的确定方法包括以下步骤：确定测试图案；提供多个已被执行光刻前工序的晶圆；测量各晶圆的中心到边缘的应力值；将测试图案形成于最小应力值位置和最大应力值位置；测量各晶圆上测试图案位置的聚焦值；将聚焦值与相应的应力值对应起来；找到超出光刻工艺窗口的临界聚焦值，将具有临界聚焦值的晶圆作为目标晶圆，目标晶圆上最大应力值和最小应力值的差值作为光刻工艺的极限应力。在改善光刻工艺质量的方法中，在光刻之前判断晶圆的应力是否超出光刻工艺的极限应力，实现在光刻前对质量进行控制，改善光刻的质量，提高光刻的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 极限 应力 确定 方法 改善 工艺 质量 | ||
【主权项】：
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