[发明专利]环形栅SiC MOSFET功率器件及制作方法有效
| 申请号： | 202310266260.2 | 申请日： | 2023-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN115985956B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 罗寅;谭在超;丁国华 | 申请（专利权）人： | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/417;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 葛莉华 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种环形栅SiC MOSFET功率器件及制作方法，涉及半导体技术领域，包括漏极金属层、SiC衬底、漂移层、在漂移层上开设的两个环形阱区，两个源区分别设置于环形阱区内部；内阱区内部的为MOSFET功率器件的第一源区，外阱区内部的为MOSFET功率器件的第二源区；第一源区和第二源区上方设置有源极金属区；栅极设置于内阱区和外阱区上方的源极金属区之间；内阱区与第一源区形成第一PN结，外阱区与第二源区形成第二PN结。该器件形成的导电沟道为围绕栅极的结构，所以纵向电流分布为环形，避免了电流集中，降低了器件内部的电流密度，改善内部的电流分布情况，降低器件内部电流集中，降低器件导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 环形 sic mosfet 功率 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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