[发明专利]一种具有高质子导电性能的三维配位聚合物及其制备方法和应用

摘要

本发明属于配位聚合物技术领域，具体涉及一种具有高质子导电性能的三维配位聚合物及其制备方法和应用。所述三维配位聚合物的化学式为：{[Cu3(OH)(btb)2(H2O)(HP2Mo5O23)]·6H2O}n，btb为1,3‑二（4氢‑1,2,4‑三唑‑4‑基）苯，所述三维配位聚合物属于三斜晶系，P‒1空间群，晶胞参数：a=12.354(5)Å，b=12.473(5)Å，c=16.411(6)Å，α=83.430(12)°，β=78.700(12)°，γ=63.368(10)°。本发明的三维配位聚合物及其制备的复合膜，具有较高的质子导电率，是极具潜力的质子传导材料。