[发明专利]一种刻蚀通孔引出薄膜器件下电极的方法在审
| 申请号： | 202310273677.1 | 申请日： | 2023-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN116259577A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 吴传贵;徐家琦;潘忻强;谢琴;帅垚;罗文博 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/44 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于电子薄膜与元器件技术领域，具体为一种刻蚀通孔引出薄膜器件下电极的方法。本发明通过在薄膜器件下电极使用高选择比的金属材料形成保护层来保护薄膜器件下电极，防止刻蚀通孔时对下电极造成损伤；由于保护层区域和材料的设计，在刻蚀时可以使得通孔的形状更加精确，且能够更好的控制刻蚀速率和刻蚀深度。本发明极大的降低刻蚀对薄膜器件下电极的损伤，大幅提高了刻蚀通孔的完整性与稳定性，极大地降低了工艺系统误差对加工精度的影响，提高了容错率，可广泛的应用在薄膜器件制造领域，特别是要求高精度通孔的薄膜器件的制造领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 引出 薄膜 器件 电极 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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