[发明专利]一种设有导电相变层的半导体激光元件在审
| 申请号： | 202310276394.2 | 申请日： | 2023-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN116646818A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李水清;请求不公布姓名;王星河;陈婉君;胡志勇;张江勇;刘紫涵;蔡鑫;陈三喜;蒙磊;季徐芳 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139 | 代理人： | 林弘毅 |
| 地址： | 237000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种设有导电相变层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，下波导层与下限制层之间和上波导层与电子阻挡层之间设有导电相变层，导电相变层具有可逆调控相变场，调控外延生长过程中高低温变化时的相变，使相变速率从分钟量级提升到皮秒量线，降低电阻率和载流子势垒，降低单横模激射电流和阈值电压；同时，导电相变层还具有可逆调控应变场，改善热应力分布不均匀，抑制有源层的In组分涨落和偏析，提升有源层界面质量，提升热稳定性和抑制光学灾变损伤，增强激光元件的限制因子，提升激光元件的激射功率和斜率效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 设有 导电 相变 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
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