[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在审
| 申请号： | 202310277418.6 | 申请日： | 2023-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN116940118A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | J·D·格林利;R·维尼加拉;T·乔治 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B43/10 | 分类号： | H10B43/10;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江泰維 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括直接在包括含硅材料的导体层上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区和阵列穿孔TAV区。所述堆叠在所述存储器块区中包括延伸穿过所述第一层和所述第二层的沟道材料串。所述堆叠在所述TAV区中包括延伸到所述导体层的所述含硅材料的TAV开口。使金属卤化物与所述含硅材料的所述硅反应以将所述金属卤化物的所述金属沉积在所述导体层中。在沉积所述金属之后，在所述TAV开口中直接抵靠所述所沉积金属形成导电材料，且由此在所述TAV开口中的个别者中形成包括所述导电材料和所述所沉积金属的TAV。公开了结构实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 存储器 单元 阵列 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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