[发明专利]一种降低碳化硅晶体应力的生长方法在审
| 申请号： | 202310277916.0 | 申请日： | 2023-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN116334748A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 宋天粮 | 申请（专利权）人： | 杭州乾晶半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;C30B27/00 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 金方玮 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市萧山*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低碳化硅晶体应力的生长方法，使用硬质石墨和多孔石墨制作坩埚衬环，放置于籽晶与石墨坩埚之间，通过计算模拟调整硬质石墨和多种石墨的厚度、形状、结合形式，使得在晶体生长过程中，生长初期将硅气氛有效排出，减弱对碳化硅形核的负面影响，在保持等径或扩径生长的晶体外形的同时，也能够通过压缩多孔石墨的孔隙来达到释放热应力的效果，减少晶锭中裂痕和开裂情况的发生，降低微管，晶界和位错缺陷的密度，获得高品质的晶锭。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 碳化硅 晶体 应力 生长 方法 | ||
【主权项】：
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