[发明专利]一种改良石墨坩埚及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202310280783.2 | 申请日： | 2023-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN115974587B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 黄秀松;郭超;母凤文 | 申请（专利权）人： | 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/80 | 分类号： | C04B41/80;C30B11/00;C30B29/36;C30B15/10 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 赵颖 |
| 地址： | 300459 天津市滨海新区滨海高新区塘沽海洋*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改良石墨坩埚及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：含氧气氛下热处理石墨坩埚的内腔，得到所述改良石墨坩埚。本发明提供的改良石墨坩埚的内壁为孔隙结构；沿远离改良石墨坩埚中心轴的方向，所述孔隙结构的孔隙率逐渐降低。内壁最内层的孔隙结构使石墨与含硅的合金溶液接触的表面积增加，提高了碳元素溶解到含硅的合金溶液中的速度，从而提高了SiC单晶生长的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改良 石墨 坩埚 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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