[发明专利]一种半导体器件的可靠性紧凑模型建立方法在审
| 申请号： | 202310287823.6 | 申请日： | 2023-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN116484792A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 吕红亮;程林;郭袖秀;严思璐;戚军军;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F111/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的可靠性紧凑模型建立方法，包括：获取半导体器件的关键特性的退化前测试数据，建立相应的紧凑型模型拓扑；提取紧凑型模型拓扑中元件的退化前的参数，进行可靠性实验，获取关键特性退化后的可靠性测试数据；根据紧凑型模型拓扑和退化前的参数对退化后的可靠性测试数据进行表征，确定影响器件退化特性表征的敏感参数；获取敏感参数相对于退化前的退化量，根据退化量随可靠性参量的变化规律建立退化模型；利用退化模型对敏感参数进行修正，得到半导体器件的可靠性紧凑模型。依据本发明的方法建立起来的可靠性模型，为器件的退化机理分析提供了依据，且易于兼容电路设计软件，提高了可靠性集成电路的设计效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 可靠性 紧凑 模型 建立 方法 | ||
【主权项】：
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