[发明专利]具有垂直AlGaN/GaN异质结的GaN基肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310293807.8 | 申请日： | 2023-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN116631866A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 白俊春;程斌;平加峰;汪福进 | 申请（专利权）人： | 江苏芯港半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安百鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 61295 | 代理人： | 黄照 |
| 地址： | 221200 江苏省徐州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有垂直AlGaN/GaN异质结的GaN基肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：一、外延材料生长；二、再生长凹槽制作及再生长；三、电极制作。其能降低漂移层的等效电阻，提高单位面积的电流密度和面积使用率，从而提高了二极管的正向电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 algan gan 异质结 基肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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