[发明专利]图像传感器的制作方法在审

专利信息
申请号: 202310317415.0 申请日: 2023-03-28
公开(公告)号: CN116435320A 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 邢家明;高喜峰;施喆天;于惟玮 申请(专利权)人: 豪威科技(上海)有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/762
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 尤彩红
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种图像传感器的制作方法,包括:提供衬底,刻蚀衬底形成若干深沟槽;形成底部抗反射涂层,底部抗反射涂层从深沟槽的底部填充预设深度的深沟槽;湿法刻蚀衬底的第一表面以及深沟槽顶部的底部抗反射涂层暴露出的侧壁表面;去除底部抗反射涂层。本发明在刻蚀形成深沟槽之后,采用底部抗反射涂层从深沟槽的底部填充预设深度的深沟槽,底部抗反射涂层保护了深沟槽预设深度范围内(顶部以下)的衬底,使该范围内的深沟槽的侧壁衬底不被湿法刻蚀,该范围内衬底不减少,从而保住了满阱容量,亦即使满阱容量不减少。湿法刻蚀去除了衬底在刻蚀形成深沟槽过程造成的等离子体损伤区域,从而降低了图像传感器的白噪声,提高了产品性能。
搜索关键词: 图像传感器 制作方法
【主权项】:
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