[发明专利]大面积均匀硫化锑薄膜的制备方法及其在太阳能电池中的应用在审
| 申请号： | 202310317804.3 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116497315A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 周儒;唐波;李冠男;靳苏喆;宋佳磊;李奕同 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;C23C14/58;C23C14/54;H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 乔恒婷 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积均匀硫化锑薄膜的制备方法及其在太阳能电池中的应用。本发明利用近空间升华技术，结合两步沉积法制备高质量硫化锑吸收层薄膜。该方法优势在于：(1)通过两步沉积法有效改善硫化锑晶体的生长取向，促进准一维硫化锑链状结构垂直衬底生长；(2)大面积源料基板和石墨板衬底实现大面积薄膜制备，蒸发源和衬底独立控温实现基板和衬底温度的均匀性，从而确保了薄膜制备过程的均匀性、重复性以及良好的晶体结晶性；(3)蒸发源料首次蒸发后可在下石墨板上形成均匀、致密、连续的蒸发源，无需重复添加源料，一次添加源料可进行多次蒸发(50次)。器件结构自下而上依次为导电玻璃/电子传输层/硫化锑吸收层/空穴传输层/背电极。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 均匀 硫化锑 薄膜 制备 方法 及其 太阳能电池 中的 应用 | ||
【主权项】：
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