[发明专利]一种铁电增强的铜基薄膜太阳电池无镉缓冲层掺氢锌锡氧的制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202310318272.5 申请日: 2023-03-29
公开(公告)号: CN116288213A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 刘慧桢;董家斌;刘越;张生利;张毅 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08;H01L31/0216;H01L31/0445;H01L31/18
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 王丽
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种铁电增强的铜基薄膜太阳电池无镉缓冲层掺氢锌锡氧的制备方法及其应用。将氧化锌靶材和二氧化锡靶材装入磁控溅射腔体,采用双靶共溅射法沉积掺氢锌锡氧(ZTO:H)薄膜,沉积ZTO:H时SnO2与ZnO之间的功率关系为:SnO2的功率应该不低于ZnO功率的50%;使用氩气和氢氩混合气作为溅射气氛。本发明有效解决了铜基薄膜太阳电池吸光层与缓冲层能带匹配较差的问题。掺氢锌锡氧(ZTO:H)薄膜有效替代CdS缓冲层,具有禁带宽度宽3.1~3.7eV、透光性好、导电率高等优势。制备方法简单且可以进行大规模批量生产,直接利用器件性能验证薄膜材料性能调控效果,为相关电池的新型功能层材料开发探明方向。
搜索关键词: 一种 增强 薄膜 太阳电池 缓冲 层掺氢锌锡氧 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
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