[发明专利]一种低噪声高PSR的LDO电路在审

专利信息
申请号: 202310318702.3 申请日: 2023-03-28
公开(公告)号: CN116466785A 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 罗萍;吴乾锋;王浩;吴泉澳;辛相文;龚正 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 孙一峰
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种低噪声高PSR的LDO电路,包括基准模块和LDO主环路模块。其中基准模块产生精确的基准电流和偏置电压,该基准电流经过片外RC滤波网络之后产生LDO主环路所需要的VREF基准电压,基准模块产生的偏置电压为LDO主环路模块提供电压偏置。LDO主环路模块的误差放大器采用BJT型的轨对轨误差放大器,误差放大器输出为VEA_OUT,后接缓冲级;缓冲级输出为Vbuf_OUT,后接自适应PSR增强模块。整体架构采取单位增益负反馈的形式,消除了传统LDO结构电阻分压网络的噪声,片外RC滤波网络滤除了基准模块的噪声和高频电源纹波。本发明在轨对轨误差放大器输入对管采用了耗尽叠层管技术,实现低压差的同时显著提升了系统中低频段的电源纹波抑制性能。
搜索关键词: 一种 噪声 psr ldo 电路
【主权项】:
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