[发明专利]电极制作方法、电极和半导体器件有效
| 申请号： | 202310320076.1 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116031144B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 陈晓阳;倪烨;姚光强;孟腾飞;于海洋;王永安;孙志国 | 申请（专利权）人： | 北京航天微电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3213;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 赵娜 |
| 地址： | 100854*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电极制作方法、电极和半导体器件，属于半导体器件领域，方法包括在硅衬底表面溅射预设厚度的电极层；调整光刻机的曝光参数，通过调整后的光刻机在电极层的表面制备侧壁呈斜坡结构的光刻胶图形，其中，调整后的光刻机发出的光线在光刻胶的制备过程中发生衍射效应；根据光刻胶图形和预设的刻蚀工艺参数调整方案，通过刻蚀机对电极层进行刻蚀，得到侧壁呈斜坡结构的电极图形。本发明利用光线的衍射效应，通过调整光刻机的曝光参数，制备出侧壁呈斜坡结构的光刻胶图形，通过调整干法刻蚀工艺参数，制备出侧壁呈斜坡结构的电极图形，减少电极图形与薄膜之间因高度差而造成的影响，避免在后续工艺过程中造成薄膜的破裂。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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