[发明专利]一种屏蔽栅沟槽MOSFET在审
| 申请号： | 202310322007.4 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116093163A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 王卓;胡鲲;乔明;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET，包括从下到上依次设置N型重掺杂衬底、N型轻掺杂外延漂移层、P型扩散区、N型重掺杂扩散区、在垂直方向构建深槽、浅槽，深槽内构建屏蔽栅多晶硅与控制栅多晶硅，分别用隔离场氧与栅氧与沟槽边缘隔离，浅槽内构建控制栅多晶硅，用栅氧与沟槽边缘隔离，器件构建金属电极隔离氧，贯穿隔离氧、N型轻掺杂扩散区、P型扩散区构建梯形金属电极、金属电极与P型扩散区之间形成P型高掺杂区、器件顶部形成源极、器件底部形成漏极。本发明充分利用浅槽的抗翘曲能力大于深槽的原理，将控制器件开关的浅槽与形成电荷平衡的深槽垂直分布，相对于深槽垂直深槽分布，提高器件整体的抗翘曲能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 沟槽 mosfet | ||
【主权项】：
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