[发明专利]一种改善短波长紫外LED限制的外延结构及其生长方法在审
| 申请号： | 202310324115.5 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116525731A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李水清;请求不公布姓名;张江勇;蔡鑫;刘紫涵;刘鑫建;黄军 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139 | 代理人： | 林弘毅 |
| 地址： | 237000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善短波长紫外LED限制的外延结构及其生长方法，涉及近紫外波段LED外延结构技术领域；为了解决现有技术存在缺陷问题；该外延结构，从下至上依次包括衬底、GaN低温缓冲层、GaN第一非掺杂层、GaN第二非掺杂层。该外延结构的生长方法，包括以下步骤：将蓝宝石衬底放入AlN磁控溅射设备中生长AlN。本发明不但可以起到更好的载流子限制作用，也可以获得更高质量的势垒层，改善载流子溢出问题，提升量子阱区的发光效率，而且AlGaN势垒层中Al组分低于15％，能够保证AlGaN有较高的晶体质量，解决了现有技术中近紫外LED中量子阱载流子限制较弱和AlGaN材料的生长困难问题，易于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 波长 紫外 led 限制 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
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