[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法、芯片在审
| 申请号： | 202310327900.6 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116581165A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 刘杰 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 林春梅 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请属于半导体技术领域，提供了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法、芯片，通过在N型沟道层内增加多个两端分别与N型漂移层和N型再生层接触的P型深区结构，在N型再生层的正面形成多个P型注入区，阳极金属层与P型注入区之间形成欧姆接触，并与N型再生层之间形成肖特基接触，当器件在高温条件下处于反向偏置时，P型深区结构和P型注入区共同承担电场尖峰，在均匀化电场的同时，电场尖峰位置下移，P型深区结构和P型注入区具有双重屏蔽作用，将热量远离肖特基结，从而对肖特基结起到加强保护的作用，大大降低了器件的漏电流，解决了二极管在高温环境下由于漏电较大导致器件稳定性降低，限制了二极管器件的应用场景的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 肖特基 二极管 及其 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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