[发明专利]表面粗糙化方法在审

专利信息
申请号: 202310328502.6 申请日: 2023-03-30
公开(公告)号: CN116581220A 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 王晓冉;徐耿钊;刘争晖;张春玉 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L33/00
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰;刘燚圣
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种表面粗糙化方法。表面粗糙化方法包括:制备得到MicroLED器件,其中MicroLED器件中p型氮化镓层的外表面具有预定角度范围的斜切角;将MicroLED器件置于预先制备的腐蚀溶液中,经过预定时长后在p型氮化镓层的外表面形成粗糙化结构。通过在制备MicroLED器件过程中在p型氮化镓层的外表面形成斜切角度,一方面通过形成斜切角度可以使表面容易形成粗糙化结构,降低了制备工艺的难度和复杂度,另一方面通过调整斜切角度的大小,可控制表面粗糙化的程度。
搜索关键词: 表面 粗糙 方法
【主权项】:
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