[发明专利]表面粗糙化方法在审
申请号: | 202310328502.6 | 申请日: | 2023-03-30 |
公开(公告)号: | CN116581220A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 王晓冉;徐耿钊;刘争晖;张春玉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L33/22 | 分类号: | H01L33/22;H01L33/00 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;刘燚圣 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种表面粗糙化方法。表面粗糙化方法包括:制备得到MicroLED器件,其中MicroLED器件中p型氮化镓层的外表面具有预定角度范围的斜切角;将MicroLED器件置于预先制备的腐蚀溶液中,经过预定时长后在p型氮化镓层的外表面形成粗糙化结构。通过在制备MicroLED器件过程中在p型氮化镓层的外表面形成斜切角度,一方面通过形成斜切角度可以使表面容易形成粗糙化结构,降低了制备工艺的难度和复杂度,另一方面通过调整斜切角度的大小,可控制表面粗糙化的程度。 | ||
搜索关键词: | 表面 粗糙 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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