[发明专利]具有寄生电容中和的低噪声放大器在审
| 申请号： | 202310331493.6 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116938158A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | B·斯科特;P·迪西肯;G·马克西姆;M·穆尔古列斯库 | 申请（专利权）人： | QORVO美国公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/56;H03F3/195;H03F3/213 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开一种低噪声放大器系统。包括：主放大器，其具有耦合到RF输入的主输入和连接到RF输出的主输出；以及阻抗放大器，其具有耦合到所述RF输入的阻抗输入和耦合到所述RF输出的阻抗输出，其中所述阻抗放大器被配置成提供到所述主放大器的输入阻抗匹配。所述阻抗放大器还提供通过所述阻抗放大器的第一噪声路径，使得由所述阻抗放大器生成的噪声与通过经过所述主放大器的第二噪声路径的噪声大体上异相。中和放大器被配置成减少所述第一噪声路径内的寄生电容负载。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 寄生 电容 中和 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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