[发明专利]一种预测鳍式场效应管器件随机掺杂波动效应的方法在审
| 申请号： | 202310332567.8 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116341487A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 杨兰兰;何延杰;屠彦;刘怡呈;李怡宁;覃涛 | 申请（专利权）人： | 东南大学;南京集成电路设计自动化技术创新中心 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;G06F30/27;G06F18/214 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种预测鳍式场效应管器件随机掺杂波动效应的方法，包括根据鳍式场效应管(FinFET)器件的沟道掺杂分布以及漏极电流与栅极电压关系曲线构建数据集；设置输入层、隐藏层和输出层的层数与神经元个数，建立FinFET器件随机掺杂波动的神经网络预测模型；为该模型设定初始值，通过不断对训练数据进行预测来计算误差，并通过反向传播算法更新、优化模型参数；向训练完毕的神经网络预测模型输入待预测FinFET器件的参数，得到该器件的阈值电压和亚阈值摆幅。本发明通过输入FinFET器件导电沟道分区域离子个数，可以快速、准确地预测该器件的阈值电压和亚阈值摆幅，为FinFET器件波动效应模拟提供一种耗时短、供选择的解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 预测 场效应 器件 随机 掺杂 波动 效应 方法 | ||
【主权项】：
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