[发明专利]一种平面透射电镜样品的制备方法及平面透射电镜样品在审
| 申请号： | 202310339799.6 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116242683A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李金磊;李晓敏;金灵芝;徐聪;黄晋华;华佑南;李晓旻 | 申请（专利权）人： | 胜科纳米（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;G01N23/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 骆文欣 |
| 地址： | 215124 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种平面透射电镜样品的制备方法及平面透射电镜样品，该平面透射电镜样品的制备方法，包括：提供绝缘体上硅器件样品；从基底硅远离埋氧层的一侧表面开始，对绝缘体上硅器件样品进行减薄抛光，以形成第一抛光面，同时实时观察第一抛光面的表面形态；根据第一抛光面的表面形态，实时获取第一抛光面的衬度；在第一抛光面的衬度与基底硅的衬度的差值满足第一预设范围时，停止对绝缘体上硅器件样品减薄抛光，获得平面透射电镜样品。利用上述方法，能够制备出减薄抛光停止位置更精确的平面透射电镜样品，通过监控衬度变化实现对减薄抛光停止位置的十纳米级精准定位，提高了该类失效分析的质量和成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 透射 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
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