[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法

摘要

本申请公开了一种LED外延结构及其制备方法，该结构中超晶格电流扩展层包括周期性排布的超晶格单元，超晶格单元包括依次排布的(Alx1Ga1‑x1)0.5In0.5P势阱层、(Aly1Ga1‑y1)0.5In0.5P第一势垒层和(Aly2Ga1‑y2)0.5In0.5P第二势垒层，0＜x1＜y1＜y2≤1。电子跃迁时，由于两个势垒层的阻挡而增强横向扩展电流，且电子在较厚的第一势垒层处积聚后隧穿过较薄的第二势垒层，提供较大的纵向扩展电流，即通过引入双势垒层并调节其组分和厚度，保证电流横向扩展的同时提升电流的纵向扩展，改善晶体生长质量，降低LED芯片工作电压，提升载流子注入效率，改善LED芯片性能。