[发明专利]TOPCon背面电极的制备方法、控制器及存储介质在审
| 申请号： | 202310343708.6 | 申请日： | 2023-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN116454143A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张雅倩;刘成法;陆玉刚;张帅;邹杨;吴晓鹏;陈红 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种TOPCon背面电极的制备方法、控制器及存储介质，属于太阳能电池技术领域。该方法包括：在钝化层背向硅基底表面的非金属接触区覆盖掩膜层，其中，所述硅基底的背面依次沉积隧穿氧化层、多晶硅层和所述钝化层；采用湿法刻蚀去除金属化接触区的钝化层；在所述金属化接触区沉积背面电极，并去除所述掩膜层。该方法能够在满足太阳能电池背面金属接触区的良好钝化的同时，满足多晶硅薄层的极度减薄，提高电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | topcon 背面 电极 制备 方法 控制器 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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