[发明专利]一种单晶硅压力变送器的温度补偿改进方法有效
| 申请号： | 202310346490.X | 申请日： | 2023-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN116296047B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张青春;冯军;闵沛;唐欢;杨晟尧;王文聘 | 申请（专利权）人： | 淮阴工学院 |
| 主分类号： | G01L19/04 | 分类号： | G01L19/04 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 吴晶晶 |
| 地址： | 223005 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及压力变送器领域，公开了一种单晶硅压力变送器温度补偿改进方法。将温度传感器封装在单晶硅压力传感器内部，通过单晶硅压力传感器获取变送器的压力数据；通过温度传感器获取单晶硅压力变送器的温度数据；调整变送器零点，校准压力测量与输出下限。对数据进行预处理，利用插值运算法和查表法，对压力数据以及温度数据进行补偿运算，得到压力和温度数据矩阵；基于压力和温度数据矩阵，利用曲线拟合算法得到补偿模型，进一步利用补偿模型进行变送器的温度自动补偿。与现有技术相比，本发明通过对变送器采集的数据进行标定、分析、拟合，来实现通过温度补偿降低变送器的精度影响因素，同时达到温度自动补偿的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 压力变送器 温度 补偿 改进 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于淮阴工学院，未经淮阴工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310346490.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
