[发明专利]一种外延片、制备方法及发光二极管在审
| 申请号： | 202310352331.0 | 申请日： | 2023-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN116130573A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 向炯;王子荣;卢建航;张锦宏;王农华 | 申请（专利权）人： | 广东中图半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 朱彩银 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外延片、制备方法及发光二极管。外延片包括：衬底，衬底一侧设置有多个凸起结构，凸起结构呈周期排布，相邻凸起结构之间形成凹坑结构，相邻凹坑结构相连；第一缓冲层，位于靠近凹坑结构一侧；无掺杂GaN层，位于第一缓冲层远离衬底一侧；无掺杂GaN层内存在至少一种凹形微结构，同一种凹形微结构呈周期排布；沿垂直于衬底的方向，至少部分凹形微结构与凸起结构至少部分交叠；位于无掺杂GaN层远离衬底一侧依次设置的N型GaN层、多量子阱有源层、第二缓冲层和P型GaN层。通过在无掺杂GaN层中引入凹形微结构，降低后续生长GaN层中的位错密度和应力释放，改善晶体质量，提高出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 制备 方法 发光二极管 | ||
【主权项】：
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