[发明专利]一种分离栅trench MOS器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202310358043.6 | 申请日： | 2023-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN116072716A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 袁秉荣;王海强;陈佳旅;何昌;蒋礼聪 | 申请（专利权）人： | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/40;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西乡街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种分离栅trench MOS器件结构及其制造方法，其制造的过程中在基底上形成第一沟槽，然后从第一沟槽的底部进一步进行刻蚀，形成第二沟槽，所刻蚀的第二沟槽的底部为圆弧状，并且横向尺寸大于第一沟槽的横向尺寸，再在第二沟槽的底部和侧壁部形成第二厚度的场板层，使得第二厚度大于第一厚度，这样，由于鸟嘴效应，使得在场板层和缓冲层连接处形成鸟嘴连接部，鸟嘴连接部包括靠近第一沟槽的位置处的部分场板层以及靠近场板层的部分栅氧层，部分场板层和部分栅氧层在厚度方向上具有梯度，这个梯度有利于增强电荷耦合，提高器件的击穿电压，从而达到有效缩小元胞尺寸，降低器件的导通电阻，同时又能保证器件性能，以及稳定的高良率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分离 trench mos 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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