[发明专利]一种氧化镓基MIS结构肖特基功率二极管在审
| 申请号： | 202310366147.1 | 申请日： | 2023-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN116387366A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 裴艳丽;曹小虎 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/40;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种氧化镓基MIS结构肖特基功率二极管。由上至下依次包括：金属阳极、超薄介质层、氧化镓半导体、金属阴极。在肖特基二极管中引入超薄介质层，不仅可以钝化氧化镓界面态，而且通过介质层中的电偶极子效应，可有效调节肖特基势垒高度，抑制反向泄露电流。由于引入的是超薄介质层，不会对正向特性有显著影响。该肖特基二极管有望改善传统肖特基二极管的反向特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 mis 结构 肖特基 功率 二极管 | ||
【主权项】：
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