[发明专利]基于FeFET+RRAM结构的可重构逻辑门及其制备和使用方法在审
| 申请号： | 202310378620.8 | 申请日： | 2023-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN116456726A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 程然;陈冰;李雪阳;丁哲韬 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H03K19/17724 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 王琛 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于FeFET+RRAM结构的可重构逻辑门及其制备和使用方法，制造该结构首先在FeFET的样品上沉积一层氧化物钝化层，并在钝化层上刻蚀形成通孔，随后沉积金属底电极、氧化铪等阻变材料和顶电极金属，最后通过光刻和刻蚀加工形成原有FeFET端口上的MIM结构，完成RRAM和FEFET的集成，其逻辑功能实现通过半导体参数分析仪加电压观测输出电流电压进行测量验证。本发明利用FeFET在不同极化状态下的阈值电压差异以及RRAM的阻变特性，使得两者形成的集成结构可通过调节RRAM电阻来实现重构逻辑功能，该可重构逻辑门结构简单、电路面积小、功耗低且具有CMOS兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 fefet rram 结构 可重构 逻辑 及其 制备 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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